广州粤芯半导体技术有限公司沈安星获国家专利权
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龙图腾网获悉广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利闪存器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310178278.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件及其制作方法、电子设备是由沈安星;张有志;谢乐帅设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提出了一种闪存器件及其制作方法、电子设备。该闪存器件包括半导体衬底和多个存储单元；在半导体衬底上形成有隔离区和存储阵列区；多个存储单元形成于存储阵列区，每个存储单元连接一条源线和一条位线；在相邻两个隔离区之间，同一行存储单元连接同一条源线以形成一个串；在各个串内，源线的正投影区域未设有阻挡层；每个串连接n条位线，其中n32且n=k*16，k为大于或等于3的整数。基于此，本申请可以降低存储阵列区的阻值Rs，降低存储阵列区的电压压降以及对读操作阶段的LowVCC的影响，还可以减少隔离区占用的面积，有利于降低存储阵列区的面积。
本发明授权闪存器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，在所述半导体衬底上设置有隔离区和存储阵列区； 多个存储单元，形成于所述存储阵列区，每个所述存储单元连接一条源线和一条位线；在相邻两个所述隔离区之间，同一行所述存储单元连接同一条所述源线以形成一个串；在各个所述串内，所述源线的正投影区域未设有阻挡层；每个所述串连接n条所述位线，其中640n32且n=k*16，k为整数且3≦k40。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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