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龙图腾网获悉清华大学申请的专利利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310215943.5，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法是由吴华强;孙雯;唐建石;高滨;钱鹤设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法，在常规透射样品制备流程的基础上进行了减薄流程的改进，采用特定参数进行切割加工时两步切割法和间隙切割法，实现半导体芯片结构的均匀厚度加工，特别是针对钨柱结构的切割方式进行了优化设计，并且提供了判断观测薄片厚度的多种参考依据。可以实现高效的半导体芯片结构的透射样品制备工作，并且获得关键器件结构的高分辨透射图像。

本发明授权利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用聚焦离子束加工半导体芯片结构透射样品的方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取半导体芯片截面的样本薄片； 选取切割参数对所述样本薄片进行多次粗切和多次细切，将所述样本薄片加工到设定厚度，其中，在粗切中，所述样本薄片的厚度为减压厚度时，降低切割时的离子束电压继续进行切割，并且在粗切和细切中均利用两步切割法和间隙减薄法进行切割； 利用厚度判断方法评估所述设定厚度是否满足预设要求，在所述设定厚度满足所述预设要求时，得到半导体芯片结构透射样品； 所述多次粗切包括： 粗切步骤1：在所述样本薄片距离钨柱中心的第一距离处，采用步进式切割模式，以第一离子束电压与电流，第一切割角度，第一切割深度将所述样本薄片加工到第一预设厚度，其中，所述第一切割深度大于目标加工深度； 粗切步骤2：在所述样本薄片距离钨柱中心的第二距离处，采用步进式切割模式，以第二离子束电压与电流，第二切割角度，第二切割深度进行两次减薄，在第二次减薄中利用间隙减薄法将所述样品薄片厚度加工到第二预设厚度，其中，所述第二切割深度为所述目标加工深度，所述第二离子束电压与电流均小于所述第一离子束电压与电流，所述第二距离小于所述第一距离； 粗切步骤3：在所述样本薄片距离钨柱中心的第三距离处，采用第三离子束电压与电流进行两次减薄，在第二次减薄中利用所述间隙减薄法将所述样品薄片厚度加工到第三预设厚度，其中，所述第三距离小于所述第二距离，第二离子束电压电流小于第一离子束电流； 粗切步骤4：在所述样本薄片距离钨柱中心的第四距离处，采用第四离子束电压与电流进行两次减薄，将所述样品薄片厚度加工到第三预设厚度，其中，所述第四距离小于所述第三距离，所述第四离子束电压与电流均小于所述第三离子束电压与电流。

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