中国科学院物理研究所伦婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利制备多级台阶微结构的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116224728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310246552.X,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权制备多级台阶微结构的方法是由伦婷婷;李俊杰;潘如豪;张忠山设计研发完成,并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备多级台阶微结构的方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种制备多级台阶微结构的方法,其包括如下步骤:1在衬底上制备光刻胶涂层;2设计初始曝光版图,所述初始曝光版图为灰度图,且所述灰度图中每个像素点的灰度值为0‑255灰阶;所述初始曝光版图上每个像素点的灰度值与紫外光束对光刻胶涂层上每个点的曝光剂量呈相关性;3优化所述初始曝光版图以获得优化曝光版图;4将所述优化曝光版图导入紫外光刻系统,利用紫外光刻设备对所述光刻胶涂层进行曝光加工;5对曝光后的光刻胶涂层进行显影工序,以在所述光刻胶涂层上产生与所述优化曝光版图对应的光刻胶台阶微结构。本发明的方法可以以高精度制备小尺寸、多台阶阶次、任意高度的台阶微结构。
本发明授权制备多级台阶微结构的方法在权利要求书中公布了:1.一种制备多级台阶微结构的方法,其包括如下步骤: (1)在衬底上制备光刻胶涂层; (2)设计初始曝光版图,所述初始曝光版图为灰度图,且所述灰度图中每个像素点的灰度值为0-255灰阶;所述初始曝光版图上每个像素点的灰度值与紫外光束对光刻胶涂层上每个点的曝光剂量呈相关性; (3)优化所述初始曝光版图以获得优化曝光版图,其中优化所述初始曝光版图是通过包括如下步骤的方法进行的: (i)利用光学表征设备测得所用光刻胶的光学参数; (ii)绘制0-255灰阶的灰度版图; (iii)将所述灰度版图进行曝光,曝光后得到光刻胶厚度与灰度值的关系曲线,即对比度曲线; (iv)将所述初始曝光版图、光刻胶的光学参数、对比度曲线以及初始曝光版图中灰度值和对应的期望厚度值关系曲线输入优化软件,即可获得优化曝光版图; (4)将所述优化曝光版图导入紫外光刻系统,利用紫外光刻设备对所述光刻胶涂层进行曝光加工; (5)对曝光后的光刻胶涂层进行显影工序,以在所述光刻胶涂层上产生与所述优化曝光版图对应的光刻胶台阶微结构。
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