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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利Ga-LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310273634.3，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权Ga-LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法是由何鹏;路富刚;王策;林盼盼;林铁松设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本Ga-LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Ga‑LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法，涉及锂电池技术领域，所述Ga‑LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法包括如下步骤：通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3，得到LLYZO粉；通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3，得到Ga‑LLZO粉；将所述LLYZO粉和所述Ga‑LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉；将所述复合母粉压力成型为片层结构，并经煅烧处理后，冷却至室温，得到晶粒细小且均匀的Ga‑LLZO固体电解质，不存在晶粒异常长大的现象。

本发明授权Ga-LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法在权利要求书中公布了：1.一种Ga-LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，将Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3按照化学式Li7La2.7Yb0.3Zr2O12摩尔比称量，并进行一次球磨、干燥后，得到第一预混粉末，将所述第一预混粉末经煅烧、二次球磨、干燥后，得到LLYZO粉，所述煅烧的过程包括：将所述第一预混粉末在850-950℃的条件下煅烧5-7小时，再升温至1220-1240℃保温0.4-0.6h后，以4-5℃min的速度冷却至室温； 步骤S2，将Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3按照化学式Li6.25Ga0.25La3Zr2O12摩尔比称量，并进行一次球磨、干燥后，得到第二预混粉末，将所述第二预混粉末经煅烧、二次球磨、干燥后，得到Ga-LLZO粉； 步骤S3，将所述LLYZO粉和所述Ga-LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉，所述复合母粉中所述LLYZO粉的质量分数为40%-50%； 步骤S4，将所述复合母粉压力成型为片层结构，并经煅烧处理后，冷却至室温，得到晶粒细小且均匀的Ga-LLZO固体电解质，所述煅烧处理的过程包括：依次在980-1020℃的温度下煅烧10h-14h，在1030-1070℃的温度下煅烧16h-120h，在1090-1130℃的温度下煅烧22h-26h。

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