成都理工大学秦正山获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉成都理工大学申请的专利基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116611206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325881.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法是由秦正山;何勇明;丁洋洋;刘逸盛设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法。该方法通过收集典型高含硫气藏温度、压力范围及天然气组成条件下的酸性气体硫溶解度实验数据，采用统计分析与多元回归分析方法，建立了适用于该类气藏元素硫的溶解度预测模型。在此基础上，结合分形介质理论、气水渗流理论与硫溶解度压力梯度函数，建立了高含硫裂缝性气藏气井硫沉积预测数学模型，并进行了对比与验证。本发明的目的不仅为高含硫裂缝性气藏储层硫堵损伤状况的可靠评估提供了理论指导与技术支持，而且为高含硫气井工作制度优化、解堵措施决策及气藏储层硫沉积治理奠定基础。
本发明授权基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分形介质理论的高含硫裂缝性气藏硫沉积预测方法，其特征在于该方法通过收集典型高含硫气藏的温度、压力范围及天然气组成条件下的酸性气体硫溶解度实验数据，采用统计分析与多元回归分析方法，建立了气藏元素硫的溶解度预测模型； 结合分形介质理论、气水渗流理论与硫溶解度压力梯度函数，建立了高含硫裂缝性气藏硫饱和度Ssf关于时间t的导数关系式： 将上式简化，令 简化后的高含硫裂缝性气藏硫饱和度随时间的变化量为 当t＝0，Ssf＝0，可得到最终的高含硫裂缝性气藏硫饱和度Ssf预测模型的积分关系表达式： 上式作为高含硫裂缝性气藏硫饱和度的预测模型，当非达西流项B＝0时，上式为达西流条件下的预测模型，采用数值积分方法计算得到不同位置的硫饱和度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都理工大学，其通讯地址为：610000 四川省成都市二仙桥东三路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号