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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116399476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310394147.2，技术领域涉及：G01K13/20；该发明授权基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器及其制备方法是由高敏;徐晨曦;林媛;路畅;姚宽洪设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及柔性温度传感技术领域，具体为基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器及其制备方法，包括PMMA衬底、设于PMMA衬底上的金属电极、覆盖于金属电极上的多组分VO2薄膜、以及覆盖于多组分VO2薄膜上的基底；所述金属电极通过导线连通实现信号的输入输出，多组分VO2薄膜为按照特定比例掺杂有元素W和Ti的VO2薄膜，基底为氟金云母或云母。与现有技术相比，本发明无需昂贵设备和严真空环境即可实现二氧化钒薄膜柔性温度传感器的制备，成本低；制备工艺简单易于实现，且具备良好的机械性能，抗弯曲稳定性好、且自重轻、弯曲稳定性好。

本发明授权基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器，其特征在于：包括PMMA衬底、设于PMMA衬底上的金属电极、覆盖于金属电极上的多组分VO2薄膜、以及覆盖于多组分VO2薄膜上的基底；所述金属电极通过导线连通实现信号的输入输出，多组分VO2薄膜为掺杂有元素W和Ti的VO2薄膜，基底为氟金云母或云母；其制备过程包括： 步骤1、在氟金云母或云母基底上制备多组分VO2薄膜，以及在PMMA衬底上制备金属电极； 在氟金云母或云母基底上制备多组分VO2薄膜包括以下子步骤： a1、对氟金云母或云母基底进行处理，以使其保持干净平整； a2、采用高分子辅助沉积法制备V、W、Ti金属前驱液，并按质量比V：W：Ti=0.8~0.95：0.015~0.03：0.05~0.20进行混合，得到混合溶液；其中，V、W、Ti金属前驱液的浓度分别为20000~30000mgL、5000~15000mgL、10~100mgL； a3、将配制的前驱液均匀涂覆步骤a1所得氟金云母或云母基底上，采用高分子辅助沉积法制备得到多组分VO2薄膜； 在PMMA衬底上制备金属电极包括以下子步骤， b1、利用激光切割制备PI掩膜； b2、将PI掩膜贴合在PMMA衬底上表面，采用磁控溅射法在PMMA衬底上表面制作金属电极； 步骤2、多组分VO2薄膜对准贴合在PMMA衬底具有金属电极的一面； 步骤3、将步骤2所得结构浸没在去离子水中，并对基底进行减薄处理； 步骤4、将金属电极通过银浆或银漆引出银线，即制备得到基于多组分二氧化钒薄膜的柔性温度传感器。

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