广州富乐德科技发展有限公司惠朝先获国家专利权
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龙图腾网获悉广州富乐德科技发展有限公司申请的专利一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310597585.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法是由惠朝先设计研发完成，并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法。本发明一方面采用一定浓度的氟化铵、氟化氢铵混合溶液作为清洗药水，用于高化学选择性地去除硅衬底的表面污染物及氧化硅，另一方面采用快速热退火处理的方式，通过硅衬底与污染物之间的应力差异和晶化效果，对硅衬底表面氧化膜层起到更有效的剥离效果，工艺简单，适用于大规模量产。
本发明授权一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将氟化铵溶液和氟化氢铵溶液加入到第一浸泡槽中，水浴加热温度控制为25～30℃，然后将硅衬底缓慢放入到浸泡槽中浸泡； S2：将步骤S1中浸泡完成的硅衬底放在去离子水中漂洗1～2min，使其表面残留的药液稀释并降低； S3：将步骤S2中漂洗完成的硅衬底放入预装有氨水溶液、双氧水溶液的第二浸泡槽中浸泡，水浴加热温度控制为45～50℃； S4：重复步骤S2，去除硅衬底表面残留的药液，然后将其放入溢流纯水槽中浸泡30～40min； S5：将步骤S4中清洗完成的硅衬底吹干； S6：将步骤S5中吹干的硅衬底放入退火炉中，促进硅衬底表面污染物去除； S7：重复步骤S1～S6，直至硅衬底表面污染物完全去除； 在步骤S6中，退火炉内的温度在25～250℃区间内进行高低温交替循环，具体为：退火炉的升温速率为70～80℃min，退火炉的降温速率为70～80℃min。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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