长安大学虢婷获国家专利权
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龙图腾网获悉长安大学申请的专利一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116623131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310610314.2，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法是由虢婷;柯松;张晓芳;刘语馨;周青;陈永楠设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体Cu非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法和应用，包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层；多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加，MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80％‑90％，Cu:3％‑8％，Y:7％‑12％；MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm，晶体Cu层单层厚度为40±2nm，多层膜的总厚度为1.04±0.02μm。大量的层间界面可以作为腐蚀物质和腐蚀裂纹的扩散屏障，有效提升了薄膜的耐腐蚀性。
本发明授权一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体Cu非晶MgCuY耐蚀多层膜，其特征在于，包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层； 多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加，MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80％-90％，Cu:3％-8％，Y:7％-12％； MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm，晶体Cu层单层厚度为40±2nm，多层膜的总厚度为1.04±0.02μm。
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