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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311192594.6，技术领域涉及：C02F1/46；该发明授权一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法是由于洪涛;康文达设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电极制备技术领域，公开一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法，步骤如下：基底的预处理、活性位点的构建、惰性表面的涂覆和活性位点的强化。与传统结垢后清洗阴极不同，本发明另辟新径，在惰性表面构造一个高度分散的纳米尖端活性位点以实现水垢在电极上的定位、定向生长。活性位点上电解产生的氢气泡会沿惰性表面转移并聚结成气泡层及大气泡，从而阻止表面发生电解和水垢成核过程。因此，只有纳米尖端顶部作为电解水的反应位点和水垢晶体的落脚点。随着水垢的长大，纳米尺度的立足点难以支撑，最终在气泡破裂产生的震动中自发脱落。本发明为解决阴极结垢问题打开了窗口，对电化学技术在实际水体中的应用具有科学价值和实用性。

本发明授权一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种水垢自动脱落的抗结垢电极的制备方法，其特征在于，步骤如下： （1）基底的预处理：将金属基底浸泡在混酸溶液中20min除杂、刻蚀，之后在质量分数为1-5%的草酸溶液中浸泡1-48h后取出，再经过1gL的氢氧化钠水溶液酸碱中和处理后用水清洗干净，保存在无水乙醇溶液中待用； （2）活性位点的构建：在15-60℃的恒温条件下，以碱性试剂、分散剂和团聚剂混合后的水溶液为电解液，在电流密度为2.5-25mAcm2的条件下反应5-35min，完成电极上分散均匀的锥形活性位点的制备；再将电极冲洗干净后保存在无水乙醇中待用； （3）惰性表面的涂覆：将含有锥形活性位点的电极浸泡在惰性剂和分散剂混合后的乙醇溶液中，浸泡时间为1-30分钟，自然晾干待用； （4）活性位点的强化：将经过惰性处理的电极在0-30℃条件下，以0.1-5.5molL氢氧化钾水溶液为电解液，在电流密度为0.2-2.0mAcm2的条件下反应0.5-10min，得到水垢自动脱落的抗结垢电极； 所述步骤（2）中分散剂为聚丙烯酰胺，所述步骤（3）中分散剂为三聚磷酸钠； 所述团聚剂为羟化乙酸乙烯； 惰性剂为聚四氟乙烯。

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