中国电子科技集团公司第三十三研究所仝宗伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第三十三研究所申请的专利Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117263714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311203866.8，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料及制备方法是由仝宗伟;王月祥;闫香洁;李克训;马卫海设计研发完成，并于2023-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及泡沫陶瓷材料技术领域，更具体而言，涉及Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料及制备方法。所述Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料微观形貌为蜂窝结构，孔壁由Si3N4和SiO2构成，孔壁内侧为Si3N4层，外侧为SiO2层，相邻孔壁之间的SiO2互相烧结为一体。本发明提供的方法制备的Si3N4泡沫陶瓷材料可同时具备如下性能指标：孔隙率88％～90％、抗压缩强度7.5MPa、室温热导率0.0808W·m‑1·K‑1、介电常数小于1.32、介电损耗小于0.009，在氧化性气氛中使用温度可达1100℃，可满足航空航天等领域对耐高温隔热透波一体化材料的迫切需求。
本发明授权Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料微观形貌为蜂窝结构，孔壁由Si3N4和SiO2构成，孔壁内侧为Si3N4层，外侧为SiO2层，相邻孔壁之间的SiO2互相烧结为一体； 所述制备方法具体步骤如下： S1.取碳源采用水热法合成球状碳； S2.取硅源采用低温化学气相沉积工艺，将SiO2沉积到S1中制备的球状碳表面，形成SiO2壳层，获得C@SiO2核壳结构粉； S3.采用压力成型工艺将S2中制备的C@SiO2核壳结构粉制备成C@SiO2生坯； S4.将S3中制备的C@SiO2生坯在氮气气氛中烧结，形成C@Si3N4@SiO2中间体； S5.将S4中制备的C@Si3N4@SiO2中间体在含氧氛围中热处理，除去其中的碳模板，获得Si3N4@SiO2核壳结构泡沫陶瓷材料。
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