麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司施朱斌获国家专利权
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龙图腾网获悉麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司申请的专利一种软击穿电路结构及四探针测量仪测量待测硅片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119716247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311260262.7，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种软击穿电路结构及四探针测量仪测量待测硅片的方法是由施朱斌;刘相华设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种软击穿电路结构及四探针测量仪测量待测硅片的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种软击穿电路结构及四探针测量仪测量待测硅片的方法，其中，软击穿电路结构包括：电容，所述电容的一端接地，另一端连接于充电电路和放电电路；所述充电电路用于对所述电容进行充电；所述充电电路包括多条并联的充电支路，每条所述充电支路包含有一控制当前支路连通或关断的第一开关；每条所述充电支路提供的电能不同；所述放电电路用于对所述电容进行放电；所述放电电路包括四条并联的放电支路，每条所述放电支路连接于所述四探针测量仪的一个探针，每条所述放电支路包含有一控制当前支路连通或关断的第二开关。本发明利用电容放电，对硅片进行软击穿，可以使探针和被测硅片表面形成良好的欧姆接触。
本发明授权一种软击穿电路结构及四探针测量仪测量待测硅片的方法在权利要求书中公布了：1.一种软击穿电路结构，连接于四探针测量仪，其特征在于，所述电路结构包括： 电容，所述电容的一端接地，另一端连接于充电电路和放电电路； 所述充电电路用于对所述电容进行充电；所述充电电路包括多条并联的充电支路，每条所述充电支路包含有一控制当前支路连通或关断的第一开关；每条所述充电支路提供的电能不同； 所述放电电路用于对所述电容进行放电；所述放电电路包括四条并联的放电支路，每条所述放电支路连接于所述四探针测量仪的一个探针，每条所述放电支路包含有一控制当前支路连通或关断的第二开关。
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