天津南玻节能玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司熊岳锋获国家专利权
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龙图腾网获悉天津南玻节能玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司申请的专利ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117865505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311838401.X，技术领域涉及：C03C17/23；该发明授权ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃是由熊岳锋;郭杨;刘双;胡冰设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃在说明书摘要公布了：本申请涉及一种ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃。制备方法包括如下步骤：在玻璃基片的表面制备ITO薄膜，并在所述ITO薄膜的表面制备热保护层，得到预成品；对所述预成品进行热处理，所述热处理的温度为660℃~710℃。制备方法中，在玻璃基片的表面制备ITO薄膜之后，在ITO薄膜的表面制备热保护层，得到预成品。然后将预成品在660℃~710℃温度下进行热处理。在热处理过程中，热保护层可以使ITO薄膜免于高温损坏，并且热处理可以促使ITO重结晶，改善ITO的结晶度，进而可以提高ITO薄膜的导电性。
本发明授权ITO导电玻璃的制备方法及ITO导电玻璃在权利要求书中公布了：1.一种ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基片的表面制备ITO薄膜，并在10℃～30℃条件下，通过第三磁控溅射的方式在所述ITO薄膜的表面制备热保护层，得到预成品；对所述预成品进行热处理，所述热处理的温度为692℃～710℃；所述热处理的时间为10min～15min；所述热保护层为氮化硅层与氧化锆层组成的复合层，或，所述热保护层为氮化锆硅层； 所述第三磁控溅射包括如下步骤：在工艺气氛下，对具有ITO薄膜的玻璃基片进行溅射；工艺气氛的气压为3.5×10-3mbar～8×10-3mbar。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津南玻节能玻璃有限公司;中国南玻集团股份有限公司，其通讯地址为：301726 天津市武清区新技术产业园区武清开发区泉丰路12号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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