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龙图腾网获悉深圳华大九天科技有限公司申请的专利一种基于自适应搜索的多项目晶圆版图拼接方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117852479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410023670.9，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种基于自适应搜索的多项目晶圆版图拼接方法、装置及存储介质是由黄耿斌;杨祖声;代超设计研发完成，并于2024-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于自适应搜索的多项目晶圆版图拼接方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多项目晶圆版图的拼接方法，包括：S1：获取芯片规格参数，以及拼接后形成的包络矩形的约束参数；S2：将多个待拼接的多边形芯片按照面积从大到小的次序排序并顺次放置在预先设定的拼接区域，并计算与初始宽度对应的多边形芯片全部放置后的包络矩形的面积；S3：计算与其余每个宽度对应的各包络矩形的面积；S4：得到按照面积递减的顺序排序后的各包络矩形的面积的集合；S5：将各包络矩形的面积的集合中的与第k个包络矩形的面积相对应的第k个包络矩形被选中的概率设为P，并以此概率选取其中一个包络矩形；S6：利用模拟退火算法对所选取的包络矩形中的至少一个多边形芯片进行旋转，将面积减小后的包络矩形作为最优拼接区域输出。

本发明授权一种基于自适应搜索的多项目晶圆版图拼接方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于自适应搜索的多项目晶圆版图的拼接方法，其特征在于，包括： S1：获取多个芯片规格参数，以及多个芯片拼接后形成的包络矩形的约束参数； S2：从设定的拼接区域的候选宽度集合W中任选一个宽度Wm作为所述设定的拼接区域的初始宽度，并将所述设定的拼接区域的初始高度设置为拼接区域的最大高度H_max，将多个待拼接的多边形芯片按面积从大到小的次序排序并顺次放置在所述设定的拼接区域，并计算与所述初始宽度Wm对应的多边形芯片全部放置后的包络矩形的面积； S3：对于拼接区域的候选宽度集合W中的其余宽度依次重复执行步骤S2，并计算与其余每个宽度对应的各包络矩形的面积； S4：将计算出的各包络矩形的面积按照递减的顺序排序得到排序后的包络矩形的面积的集合A_i； S5：将包络矩形的面积的集合A_i中的与第k个包络矩形的面积相对应的第k个包络矩形被选中的概率设为并以此概率P选取其中一个包络矩形，其中|W|表示所生成包络矩形的面积集合A_i的大小； S6：利用模拟退火算法对所选取出的包络矩形中的至少一个多边形芯片进行旋转，通过迭代优化，计算出对所述至少一个多边形芯片进行旋转后的包络矩形的面积； S7：重复步骤S4到步骤S6，逐次判定通过对所述至少一个多边形芯片进行旋转后获得的包络矩形的面积是否减小， 其中，若判定通过对所述至少一个多边形芯片进行旋转后获得的包络矩形的面积减小，则将面积减小后的包络矩形作为最优拼接区域输出。

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