买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请的专利一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118605094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410672537.6，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件是由滕菲;柳旭峰;王玉;夏华栋;夏杰;孙涛;张亮;蒋晓设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件，方法包括以下步骤：向腔室内通入工艺气体，根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数以保持腔室状态稳定；以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，以进行全部或部分光刻胶的剥离。本发明无需高温即可对晶圆表面的生成物进行清理，可减少F离子腐蚀，也有利于避免因腔室温度加高带来的塌胶、糊胶，便于去除表面较硬的光刻胶，并且无需改造腔室，也不涉及产品本身结构限制，解决了生成物难以清理且清理后影响光刻胶去除的问题，适用范围广。

本发明授权一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，用于处理金属层为铝的半导体元件，包括以下步骤： 通过气体置换的方式排出腔室内部残余含氟气体； 向腔室内通入工艺气体，根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数以保持腔室状态稳定； 以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，以进行全部或部分光刻胶的剥离，进行光刻胶的剥离后，还包括湿法清洗，过程中金属铝自然氧化形成保护膜氧化铝； 所述根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数，包括： 确定气体流量和摆阀位置范围，根据摆阀位置上限值和气体流量测定第一当前压力，根据摆阀位置下限值和气体流量测定第二当前压力，以第一当前压力与第二当前压力作为上下限确定工艺压力调整范围，进行工艺压力调整； 或，确定摆阀位置范围，根据当前气体流量和当前压力测定当前摆阀位置，调整当前气体流量和或当前压力，直至当前摆阀位置满足摆阀位置范围； 所述工艺气体包括氧气或混合气体，当工艺气体为混合气体时，混合气体中氧气占比不低于50％。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江芯晟半导体科技有限责任公司，其通讯地址为：314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇凌公塘路3556号南湖海创园10号楼306室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。