台湾积体电路制造股份有限公司陈嘉伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223142393U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421250424.9，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体结构是由陈嘉伟;吴以雯;李振铭;许铭城设计研发完成，并于2024-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本公开的一个方式涉及一种半导体结构。半导体结构包括第一及第二有源区、金属栅极结构、绝缘结构、源极漏极接触件及馈通孔。第一及第二有源区沿着第一方向纵向延伸。金属栅极结构位于第一及第二有源区的通道之上，并沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。绝缘结构切穿金属栅极结构，并沿着第二方向设置在第一与第二有源区之间。源极漏极接触件位于绝缘结构以及第一及第二有源区的源极漏极部件之上，并沿着第二方向纵向延伸。馈通孔接触源极漏极接触件的底表面并贯穿绝缘结构的一部分。绝缘结构环绕馈通孔并使馈通孔与金属栅极结构隔离。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一第一有源区及一第二有源区，沿着一第一方向纵向延伸； 多个金属栅极结构，位于该第一有源区及该第二有源区的多个通道之上，其中多个所述金属栅极结构沿着垂直于该第一方向的一第二方向纵向延伸； 一绝缘结构，切穿多个所述金属栅极结构并沿着该第一方向纵向延伸，其中该绝缘结构沿着该第二方向设置在该第一有源区与该第二有源区之间； 多个源极漏极接触件，位于该绝缘结构以及该第一有源区及该第二有源区的多个源极漏极部件之上，其中多个所述源极漏极接触件沿着该第二方向纵向延伸；以及 一馈通孔，接触多个所述源极漏极接触件的底表面并贯穿该绝缘结构的一部分， 其中，该绝缘结构环绕该馈通孔并使该馈通孔与多个所述金属栅极结构隔离。
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