上海新微半导体有限公司赵旭熠获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118756329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410827770.7，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法是由赵旭熠;尚金铭;王玮竹设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法，衬底脱氧方法包括：提供k个衬底，衬底表面形成有氧化层；对衬底进行脱氧；在脱氧过程中实时检测衬底的衍射条纹亮度，使得k个衬底以不同的衍射条纹亮度结束脱氧；k为大于或等于5的整数；采用分子束外延生长方法形成外延层于脱氧后的衬底上，以形成k个外延片；对外延片进行表面形貌表征测试，以获得k个外延片表面的缺陷密度；根据k个外延片的缺陷密度和k个衬底的衍射条纹亮度建立关系矩阵，以根据关系矩阵获得最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度，并将最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度作为待脱氧的衬底的脱氧完成点。本发明的技术方案使得能够准确判断衬底是否刚好脱氧完成。
本发明授权衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底脱氧方法，其特征在于，包括： 提供k个衬底，所述衬底表面形成有氧化层，k个所述衬底表面的所述氧化层的厚度不同； 对所述衬底进行脱氧，以去除所述衬底表面的氧化层；并且，在脱氧过程中实时检测所述衬底的衍射条纹亮度，使得k个所述衬底以不同的衍射条纹亮度结束脱氧；其中，k为大于或等于5的整数； 采用分子束外延生长方法形成外延层于脱氧后的所述衬底上，以形成k个外延片； 对所述外延片进行表面形貌表征测试，以获得k个所述外延片表面的缺陷密度； 根据k个所述外延片的缺陷密度和k个所述衬底的衍射条纹亮度建立关系矩阵，以根据所述关系矩阵获得最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度，并将所述最低缺陷密度对应的衍射条纹亮度作为待脱氧的衬底的脱氧完成点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新微半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号