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龙图腾网获悉江苏满旺半导体科技股份有限公司申请的专利一种基于物联网的芯片生产过程监管系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411012810.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种基于物联网的芯片生产过程监管系统及方法是由刘伟;付强;邹毅设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物联网的芯片生产过程监管系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于物联网的芯片生产过程监管系统及方法，属于数据监管技术领域。本发明对芯片生产流程数据进行采集，并传输至数据库对入库数据进行标签赋予操作，构建对应数据集合；调取完成基础生产架构的芯片数据，针对各芯片进行表面缺陷图像数据分析和电学性质缺陷分析，获取分析结果并提取对应的特征数据生成对应的特征缺陷向量；结合表面缺陷特征向量和电学缺陷特征向量进行关联缺陷分析，根据分析结果判断当前芯片的表面缺陷与电学缺陷之间的关联影响度，通过判断结果对当前芯片进行二重缺陷判断；结合当前生产批次的芯片缺陷分析结果对芯片生产流程阶段进行故障分析，将流程故障分析结果与芯片缺陷分析结果进行人工端数据反馈。

本发明授权一种基于物联网的芯片生产过程监管系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物联网的芯片生产过程监管方法，其特征在于：该方法包括以下步骤： S100、通过各芯片生产流程段数据进行采集，并进行综合传输至数据库并对各数据入库进行属性标签赋予操作，构建对应的芯片数据集合； S200、对完成基础生产架构的芯片进行数据调取，针对各芯片进行表面缺陷图像数据分析和电学性质缺陷分析，获取各芯片的缺陷分析结果并提取对应的特征数据生成各芯片对应的特征缺陷向量； S300、结合各芯片的表面缺陷特征向量和电学缺陷特征向量进行关联缺陷分析，根据分析结果判断当前芯片的表面缺陷与电学缺陷之间的关联影响度，通过判断结果对当前芯片进行二重缺陷判断；所述二重缺陷判断为根据关联分析对当前芯片是否存在隐患缺陷进行判断； 所述S300的具体步骤如下： S301、分别将对应芯片的各表面缺陷特征向量与电学缺陷向量进行同平面映射，获取各表面缺陷向量与各电学缺陷向量的夹角数据；结合夹角数据对各表面缺陷针对各电学缺陷的关联影响分析，其计算公式为；其中为各表面缺陷针对各电学缺陷的影响度；为各表面缺陷向量分别与各电学缺陷相量的映射夹角；若，则判断对应表面缺陷对对应电学缺陷存在强相关影响；若，则判断对应表面缺陷对对应电学缺陷存在弱相关影响；其中为系统预设值；为芯片表面缺陷的数量；为芯片各表面缺陷图像中距离最大的两个端点坐标构建的向量；为芯片电学缺陷的数量；为芯片电学缺陷曲线中各缺陷曲线段两个时间段点坐标构建的向量； S302、根据不同表面缺陷对各电学缺陷的影响分析，对芯片的综合表面缺陷数据对综合电学缺陷数据进行关联影响分析，其计算公式为；其中为芯片的综合表面缺陷数据对综合电学缺陷数据进行关联影响度；为芯片的表面缺陷特征向量与电学缺陷特征向量进行同平面映射后构建的夹角；为对应表面缺陷对对应电学缺陷存在强相关影响的各表面缺陷针对各电学缺陷的影响度的数量；为各表面缺陷针对各电学缺陷的影响度的计算总数量；其中和分别为对应芯片的表面缺陷特征向量和电学缺陷特征向量； S303、结合芯片的综合表面缺陷数据对综合电学缺陷数据进行关联影响分析结果，对芯片进行二重缺陷判断；若，则判断当前芯片存在隐患缺陷；若，则判断当前芯片不存在隐患缺陷；其中为系统预设值； S400、结合当前生产批次的芯片缺陷分析结果对芯片生产流程阶段进行故障分析，将流程故障分析结果与芯片缺陷分析结果进行人工端数据反馈。

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