成都海光微电子技术有限公司施国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉成都海光微电子技术有限公司申请的专利一种半导体装置及工艺测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411068168.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体装置及工艺测试方法是由施国峰设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体装置及工艺测试方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种半导体装置及工艺测试方法，涉及半导体技术领域，能够便于发现半导体装置制造中发生异常的工艺步骤，从而便于有针对性地对相关的半导体工艺进行改进。所述半导体装置包括：交替堆叠的至少一个导电层和至少一个介质层；每个所述导电层包括至少一个检测图形；每个所述检测图形包括彼此平行且间隔设置的两条导电线，其中每条所述导电线的两个端点分别通过金属引脚引出所述半导体装置。本发明可应用于半导体测试中。
本发明授权一种半导体装置及工艺测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 交替堆叠的至少一个导电层和至少一个介质层； 每个所述导电层包括至少一个检测图形； 每个所述检测图形包括彼此平行且间隔设置的两条导电线，其中每条所述导电线的两个端点分别通过金属引脚引出所述半导体装置； 每个所述导电层还包括至少一个芯片图形；所述检测图形与所述芯片图形之间无电连接； 每个所述芯片图形在所述导电层中具有一个对应的第一区域，每个所述芯片图形设置于对应的所述第一区域内，各所述第一区域在所述导电层上彼此间隔分布； 预设数量的所述第一区域在所述导电层上呈阵列状排布，形成第一阵列；每个所述检测图形的设置位置包括： 设置于所述第一阵列对应的矩形包络之外，且位于所述矩形包络的任一个目标位置附近，与该目标位置相对应，所述检测图形上的任一点与该目标位置之间的距离均处于预设范围之内；其中，所述矩形包络为所述第一阵列的外轮廓线勾勒出的矩形；所述目标位置包括所述矩形包络的任一顶点或任一条边；所述矩形包络的各所述目标位置所对应的所述检测图形与所述第一阵列一起形成一个第二阵列。
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