包头市英思特稀磁新材料股份有限公司周保平获国家专利权
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龙图腾网获悉包头市英思特稀磁新材料股份有限公司申请的专利一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223140489U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421907153.X，技术领域涉及：H01F7/00；该实用新型一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构是由周保平;李鑫;李敏敏;刘博文;林云;周维娜设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构，六个第一单磁体沿长度方向呈直线排列成上下两排，上排第一单磁体的充磁方向从左向右依次为竖直向下、水平向左和竖直向上，下排第一单磁体的充磁方向从左向右依次为竖直向下、水平向右和竖直向上；每排第一单磁体的左右两侧对称设置竖直的导磁体，不导磁体设置在两排第一单磁体和导磁体之间；四个第二单磁体分别倾斜对称设置在两排单磁体的上下两侧，且第二单磁体的内端抵靠排列在左右两侧的第一单磁体上，第二单磁体的中部抵靠导磁体的顶部，上下两排第二单磁体的充磁方向从左向右均是倾斜向下、倾斜向上，本实用新型实现减少磁体用量的同时提高磁场强度。
本实用新型一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构在权利要求书中公布了：1.一种减少磁体用量并提高场强度的磁体排列结构，其特征在于：包括至少一个阵列，每个阵列包括六个排列设置的第一单磁体、四个倾斜设置的第二单磁体、四个导磁体和一个不导磁体； 六个第一单磁体沿长度方向呈直线排列成上下两排，上排第一单磁体的充磁方向从左向右依次为竖直向下、水平向左和竖直向上，下排第一单磁体的充磁方向从左向右依次为竖直向下、水平向右和竖直向上； 每排第一单磁体的左右两侧对称设置竖直的导磁体，所述不导磁体设置在两排第一单磁体和导磁体之间； 四个第二单磁体分别倾斜对称设置在两排单磁体的上下两侧，且第二单磁体的内端抵靠排列在左右两侧的第一单磁体上，第二单磁体的中部抵靠导磁体的顶部，上下两排第二单磁体的充磁方向从左向右均是倾斜向下、倾斜向上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人包头市英思特稀磁新材料股份有限公司，其通讯地址为：014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新区阿拉坦汗大街19号(稀土高新区科技产业园区A1-B1)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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