拓荆科技(上海)有限公司路希龙获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构及其薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223134578U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421991663.X，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构及其薄膜沉积设备是由路希龙;董文惠;刘振;吴凤丽;张强;唐仁鹏;薛国标;王思琦;刘英明;邓浩设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构及其薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构，其包括:ALD隔膜阀，ALD隔膜阀具有第一连接面，ALD的进气通道延伸至第一连接面上；电磁阀，电磁阀具有第二连接面，电磁阀的出气通道延伸至第二连接面上；第一连接面密封抵接于第二连接面，且进气通道与出气通道对位联通。其通过将电磁阀与ALD隔膜阀直接对位连接，在对接面设置密封圈，最大程度降低了电磁阀与ALD隔膜阀的气路长度，缩短了响应时间；同时在对接面设置若干呈圆形部分的连接孔，通过连接件将二者连接固定，根据需要可以调整电磁阀与ALD隔膜阀的对位角度，以避免多个隔膜阀集成时相互干涉，其改进结构简单、容易实现。
本实用新型一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构及其薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种ALD隔膜阀和电磁阀连接结构，其特征在于，包括: ALD隔膜阀，所述ALD隔膜阀具有第一连接面，所述ALD隔膜阀的进气通道延伸至所述第一连接面上； 电磁阀，所述电磁阀具有第二连接面，所述电磁阀的出气通道延伸至所述第二连接面上； 其中，所述第一连接面密封抵接于所述第二连接面，且所述进气通道与所述出气通道对位联通； 所述第一连接面上设有密封圈，所述密封圈环绕于所述进气通道；和或所述第二连接面上设有密封圈，所述密封圈环绕于所述出气通道； 所述ALD隔膜阀和电磁阀连接结构还包括连接件。
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