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西华大学;四川六方钰成电子科技有限公司万维财获国家专利权

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龙图腾网获悉西华大学;四川六方钰成电子科技有限公司申请的专利一种纳米晶高强氧化铝陶瓷基板材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119019156B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411134136.1,技术领域涉及:C04B35/10;该发明授权一种纳米晶高强氧化铝陶瓷基板材料及其制备方法是由万维财;宋久鹏;刘薇;张云;周琪果;刘志辉;刘励扬设计研发完成,并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种纳米晶高强氧化铝陶瓷基板材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种氧化铝陶瓷基板材料的制备方法,采用纳米级氧化铝粉末,通过设计并优化了不同粒度范围的粉末搭配,解决了中等晶粒度氧化铝陶瓷基板强度低,机械性能不足的问题。本申请利用多种分散剂和表面活性剂的协同作用,解决了纳米晶粒容易团聚、分散困难等问题。本申请通过设计烧结助剂的成分和粉末粒度配比,有效降低了氧化铝陶瓷的烧结温度,在保证材料烧结致密性的前提下,有效降低了烧结温度,进而有效抑制了纳米晶粒的长大,从而提高了氧化铝陶瓷基板材料的强度。本发明制得的氧化铝基板材料晶粒度在100‑300nm,密度≥3.95gcm3,表面粗糙度≤0.2μm,翘曲度≤0.1mm,抗弯强度≥600MPa,无开裂、破损等外观缺陷。

本发明授权一种纳米晶高强氧化铝陶瓷基板材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种氧化铝陶瓷基板材料的制备方法,包括: 1配料、混料 称取3-6wt%烧结助剂、0.5-2.0wt%稀土添加剂和余量氧化铝粉末混合后加入球磨罐,得第一混合物; 取第一混合物,加入溶剂和分散剂,每100g第一混合物中加入40-100ml溶剂和30-80ml分散剂,得到第二混合物; 第二混合物加入氧化铝陶瓷研磨球中研磨分散10-15h,磨球与第二混合物的质量比为2:1-5:1,球磨转速600-1000rmin,得到分散浆料; 向分散浆料中加入第一混合物质量百分比为10-20%的粘结剂,再加入第一混合物质量百分比为5-20%的增塑剂,进行二次球磨,转速600-800rmin,球磨时间8-15h,最后将转速降至200-400rmin混合1-3h,研磨好的浆料过200目筛网,得流延浆料; 2除泡 流延浆料在真空除泡机上除泡,真空度为小于-0.1MPa,温度控制在30-45℃,时间为1-3h,得到除泡浆料; 3流延成型 除泡浆料在流延成型机上流延得到生坯片,流延成型的温度为50-90℃,流延成型的速度为0.2-0.5mmin,刮刀间隙为300-600μm,得到成型生坯片; 4排胶 将成型生坯片放入排胶炉中排胶,排胶温度为700-800℃,排胶时间为3-6h,氮气或氩气条件,气体流量为5-10Lmin,加热速度为室温-300℃以0.5-1.0℃min,在300℃-排胶温度以1.0-1.5℃min的速率升温,得到排胶氧化铝材料; 5烧结 将排胶氧化铝材料转入低压烧结炉进行压力烧结,以1-3℃min的升温速率升温至1320-1420℃,烧结时间为2-3h,烧结气氛为氮气或氩气,烧结压力2-6MPa,最终得到一种氧化铝陶瓷基板材料;其中: 步骤1所述氧化铝粉末为质量分数>99.9wt%的纳米和亚微米氧化铝粉末,包括: 粒径40-80nm的粉末占比5-8wt%,粒径80-150nm的粉末占比20-25wt%,粒径150-200nm的粉末占比30-40wt%,粒径200-250nm的粉末占比15-24wt%,余量为粒径250-300nm的粉末; 步骤1所述稀土添加剂由粒径为50-100nm纳米的CeO2和La2O3混合制成,CeO2与La2O3的质量比为2:1-4:1; 步骤1所述第二混合物加入氧化铝陶瓷研磨球包括直径为1mm、2mm、4mm和6mm的研磨球,其中:直径1mm的磨球占比10-20wt%,直径2mm的磨球占比30-40wt%,直径4mm的磨球占比20-30wt%,余量为直径6mm的磨球。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西华大学;四川六方钰成电子科技有限公司,其通讯地址为:610039 四川省成都市郫都区红光大道9999号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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