福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223142391U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422025764.8，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体器件是由冯立伟;张钦福;许艺蓉设计研发完成，并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件，包括衬底，浅沟槽隔离，和多个位线结构。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中，包括高于衬底的表面的第一绝缘层和低于衬底的表面的第二绝缘层。位线结构设置在衬底上，至少包括导电层。至少一位线结构横跨有源区和浅沟槽隔离的第一绝缘层和第二绝缘层，并且分别具有第一绝缘堆叠结构、第二绝缘堆叠结构和第三绝缘堆叠结构。第一绝缘堆叠结构、第二绝缘堆叠结构和第三绝缘堆叠结构包括彼此共平面的顶面和不同的堆叠材料。由此，位线结构的组件效能得以提升，从而优化半导体器件的操作表现。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，包括多个有源区； 浅沟槽隔离，设置在所述衬底中；所述浅沟槽隔离包括高于所述衬底的表面的第一绝缘层和低于所述衬底的所述表面的第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上；以及 多个位线结构，设置在所述衬底上，所述位线结构在第一方向上延伸并在垂直于所述第一方向的第二方向排列，各所述位线结构至少包括设置在所述衬底上的导电层； 其中，至少一所述位线结构在所述第一方向上横跨所述有源区、和所述浅沟槽隔离的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述至少一所述位线结构分别在所述有源区、和所述浅沟槽隔离的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上具有第一绝缘堆叠结构、第二绝缘堆叠结构和第三绝缘堆叠结构，所述第一绝缘堆叠结构、所述第二绝缘堆叠结构和所述第三绝缘堆叠结构包括互相在同一水平面上的顶面和不同的堆叠材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362261 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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