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龙图腾网获悉包头市英思特稀磁新材料股份有限公司申请的专利一种磁体的排列结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223140491U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422093183.8，技术领域涉及：H01F7/02；该实用新型一种磁体的排列结构是由周保平;李敏敏;刘博文;李鑫;董福海;林云;周维娜设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁体的排列结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种磁体的排列结构，涉及海尔贝克阵列磁体组装技术领域，多个第一单磁体沿左右方向间隔排列，两第二单磁体嵌入相邻第一单磁体之间，第二单磁体的长度和宽度均为第一单磁体的一半，第一单磁体的磁极方向朝上，位于左侧的第二单磁体磁极朝左上偏转45°，位于右侧的第二单磁体磁极朝右上偏转45°；第三单磁体与第一单磁体的长度和宽度相同，并且其排列方式和第一单磁体的排列方式相同，两第四单磁体嵌入相邻第三单磁体之间，第四单磁体的长度和宽度均为第三单磁体的一半，第三单磁体的磁极方向朝上，位于左侧的第四单磁体磁极朝左上偏转45°，位于右侧的第二单磁体磁极朝右上偏转45°。本实用新型产生的磁场更加均匀。

本实用新型一种磁体的排列结构在权利要求书中公布了：1.一种磁体的排列结构，其特征在于：包括第一导磁体和第二导磁体，第一导磁体和第二导磁体上下间隔排列设置，第二导磁体位于第一导磁体上方； 第一导磁体的上侧设置有第一单磁体和第二单磁体，多个第一单磁体沿左右方向间隔排列设置，两第二单磁体并排嵌入在相邻两第一单磁体之间，第二单磁体的长度和宽度均为第一单磁体的二分之一，第一单磁体的磁极方向朝上，相邻第一单磁体之间，位于左侧的第二单磁体的磁极方向朝左上方偏转45°，位于右侧的第二单磁体的磁极方向朝右上方偏转45°； 第二导磁体的下侧设置有第三单磁体和第四单磁体，第三单磁体与第一单磁体的长度和宽度相同，并且其排列方式和第一单磁体的排列方式相同，两第四单磁体并排嵌入在相邻两第三单磁体之间，第四单磁体的长度和宽度均为第三单磁体的二分之一，第三单磁体的磁极方向朝上，相邻第三单磁体之间，位于左侧的第四单磁体的磁极方向朝左上方偏转45°，位于右侧的第二单磁体的磁极方向朝右上方偏转45°，第一单磁体和第三单磁体上下一一对应，第二单磁体和第四单磁体上下一一对应。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人包头市英思特稀磁新材料股份有限公司，其通讯地址为：014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新区阿拉坦汗大街19号(稀土高新区科技产业园区A1-B1)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。