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成都膜芯智能科技有限公司杨弘毅获国家专利权

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龙图腾网获悉成都膜芯智能科技有限公司申请的专利一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119341490B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411236525.5,技术领域涉及:H03F3/45;该发明授权一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路是由杨弘毅;陈凯歌;王晓萍设计研发完成,并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路,涉及集成电路技术领域。所述放大电路包括输入级电路、中间级电路、补偿电路以及输出级电路;所述输入级电路用于通过一组PMOS和NMOS差分对来实现轨到轨的输入,所述中间级电路用于通过一对运放管来提升精度同时稳定共模,所述补偿电路用于实现电路的电压钳位,所述输出级电路用于实现轨到轨输出并达到驱动负载。本发明使输入和输出信号摆幅基本上可以达到正负电源轨,在输入级的设计中避免了常规设计导致的较高电流消耗,同时中间级的设计可以大大增大电路的精度,能够应用于高精度的信号处理电路当中。

本发明授权一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路在权利要求书中公布了:1.一种低失调电压低噪声高精度的轨到轨运算放大电路,其特征在于:包括输入级电路、中间级电路、补偿电路以及输出级电路; 输入级电路的第一输出端连接中间级电路的第一输入端,输入级电路的第二输出端连接中间级电路的第二输入端,中间级电路的第一输出端连接补偿电路的第一输入端和输出级电路的第一输入端,中间级电路的第二输出端连接补偿电路的第二输入端和输出级电路的第二输入端; 所述输入级电路用于通过一组PMOS和NMOS差分对来实现轨到轨的输入,所述中间级电路用于通过一对运放管来提升精度同时稳定共模,所述补偿电路用于实现电路的电压钳位,所述输出级电路用于实现轨到轨输出并达到驱动负载; 所述输入级电路包括直流电流源I、第一直流电压源V1、第二直流电压源V2、第三直流电压源V3、第四直流电压源V4、第一PMOS管P1,第二PMOS管P2,第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9; 所述直流电流源I的第一输出端接正电源电压,直流电流源I的第二输出端与第七NMOS管N7的漏极、第一、二PMOS管P1、P2的源极连接,第七NMOS管N7的栅极与第四直流电压源V4的第二输出端连接,第七NMOS管N7的源极与第八、九NMOS管N8、N9的栅极、第八NMOS管N8的漏极连接,第九NMOS管N9的漏极与第一、二NMOS管N1、N2的源极连接,第二NMOS管N2的漏极与第三PMOS管P3的漏极、第五PMOS管P5的源极连接,第一NMOS管N1的漏极与第四PMOS管P4的漏极、第六PMOS管P6的源极连接,第三、四PMOS管P3、P4的源极与正电源电压连接,第二PMOS管P2的漏极与第五NMOS管N5的源极、第三NMOS管N3的漏极连接,第一PMOS管P1的源极与第六NMOS管N6的源极、第四NMOS管N4的漏极连接,第三PMOS管P3的栅极和第四PMOS管N4的栅极与第一电压源V1的第二输出端连接,第五PMOS管P5的栅极和第六PMOS管P6的栅极与第二电压源V2的第二输出端连接,第五NMOS管N5的栅极与第六NMOS管N6的栅极与第三电压源V3的第二输出端连接,第八、九、三、四NMOS管N8、N9、N3、N4的源极、第一、二、三、四直流电压源V1、V2、V3、V4的第一输出端与负电源电压连接,第一输入端VP与第一NMOS管N1和第一PMOS管P1的栅极连接,第二输入端VN与第二NMOS管N2和第二PMOS管P2的栅极连接,第一输出端VO1与第五PMOS管P5和第五NMOS管N5的漏极连接,第二输出端VO2与第六PMOS管P6和第六NMOS管N6的漏极、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4的栅极连接; 所述中间级电路包括第一运算放大器和第二运算放大器; 所述第一运算放大器的反向输入端与所述输入级电路的第一输出端VO1连接,第二运算放大器的正向输入端与所述输入级电路的第二输出端VO2连接;第一运算放大器的正向输入端与第二运算放大器的反向输入端均接地,与输入级电路的负电源电压连接; 所述输出级电路包括第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第十NMOS管N10、第十一NMOS管N11、第十二NMOS管N12、第十三NMOS管N13、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4; 所述第七、八、九、十PMOS管P7、P8、P9、P10的栅极与输出级电路的第一输入端VIN1连接,第十、十一、十二、十三NMOS管N10、N11、N12、N13的栅极与输出级电路的第二输入端VIN2连接,第七、八、九、十PMOS管的源极与正电源电压连接,第十、十一、十二、十三NMOS管的源极与负电源电压连接,第一电阻R1的第一端与第七PMOS管P7、第十NMOS管N10的漏极连接,第二电阻R2的第一端与第八PMOS管P8、第十一NMOS管N11的漏极连接,第三电阻R3的第一端与第九PMOS管P9、第十二NMOS管N12的漏极连接,第四电阻R4的第一端与第十PMOS管P10、第十三NMOS管N13的漏极连接,输出端VOUT与第一、二、三、四电阻R1、R2、R3、R4的第二端连接; 所述输出级电路的第一输入端VIN1与中间级电路的第一运算放大器的输出端连接,第二输入端VIN2与中间级电路的第二运算放大器的输出端连接; 所述补偿电路包括第二直流电流源I2、第三直流电流源I3、第十一PMOS管P11、第十二PMOS管P12、第十三PMOS管P13、第十四PMOS管P14、第十四NMOS管N14、第十五NMOS管N15、第十六NMOS管N16、第十七NMOS管N17; 所述第十一PMOS管P11的源极与正电源电压连接,第十一PMOS管P11的漏极与第十一PMOS管P11的栅极、第十二PMOS管P12的源极、第十四NMOS管N14的源极连接,第十二PMOS管P12的漏极与第十二PMOS管P12的栅极、第十三PMOS管P13的源极连接,第十三PMOS管P13的栅极与第十四NMOS管N14的栅极、第十四NMOS管N14的漏极、第二直流电流源I2的第二输出端连接,第十三PMOS管P13的漏极和第二直流电流源I2的第一输出端、负电源电压连接; 所述第十四NMOS管N14的源极与负电源电压连接,第十四NMOS管N14的漏极与第十四NMOS管N14的栅极、第十五NMOS管N15的源极、第十七NMOS管N17的源极连接,第十五NMOS管N15的漏极与第十五NMOS管N15的栅极、第十六NMOS管N16的源极连接,第十六NMOS管N16的栅极与第十七NMOS管N17的栅极、第十七NMOS管N17的漏极、第三直流电流源I3的第二输出端连接,第十六NMOS管N16的漏极和第三直流电流源I3的第一输出端与正电源电压连接,第一输入输出端IO1与第十二PMOS管P12的漏极连接,第二输入输出端IO2与第十五NMOS管N15的漏极连接; 所述补偿电路的第一输入输出端IO1与输出级电路的第一输入端VIN1连接,第二输入输出端IO2与输出级电路的第二输入端VIN2连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都膜芯智能科技有限公司,其通讯地址为:610000 四川省成都市高新区天晖中街56号1栋14层1405号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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