台湾积体电路制造股份有限公司李俊颖获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223140386U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422174312.6，技术领域涉及：G11C11/413；该实用新型记忆体装置是由李俊颖;李婕;张彤诚;黄彦翔;黄家恩设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置在说明书摘要公布了：一种记忆体装置，包含记忆体阵列、多个存取字元线及第一追踪字元线。记忆体阵列包含配置于多个行及多个列上的多个位元单元。多个存取字元线沿着侧向方向延伸。多个行分别对应于多个存取字元线。第一追踪字元线沿着侧向方向延伸且具有第一部分及第二部分。第一部分自记忆体阵列的边缘延伸至中部，第二部分自记忆体阵列的中部延伸至边缘。第一追踪字元线的第一部分包含分别越过多个金属化层的第一组合而设置的至少二第一导线，且第二部分包含分别越过多个金属化层的第二组合而设置的至少二第二导线。第一组合不同于该第二组合。
本实用新型记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包含： 一记忆体阵列，包含配置于多个行及多个列上的多个位元单元； 多个存取字元线，沿着一侧向方向延伸，该多个行分别对应于该多个存取字元线；以及 一第一追踪字元线，沿着该侧向方向延伸且具有一第一部分及一第二部分，该第一部分自该记忆体阵列的一边缘延伸至该记忆体阵列的一中部，该第二部分自该记忆体阵列的该中部延伸至该记忆体阵列的该边缘， 其中该第一追踪字元线的该第一部分包含至少二第一导线，该至少二第一导线分别越过多个金属化层的一第一组合而设置，且该第一追踪字元线的该第二部分包含至少二第二导线，该至少二第二导线分别越过该多个金属化层的一第二组合而设置，且 其中该第一组合不同于该第二组合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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