安徽北方微电子研究院集团有限公司曹卫达获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽北方微电子研究院集团有限公司申请的专利一种MEMS压力芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223134117U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422303808.9，技术领域涉及：B81C1/00；该实用新型一种MEMS压力芯片结构是由曹卫达;王鹏;陈璞;宋吉递设计研发完成，并于2024-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS压力芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种MEMS压力芯片结构，它包括第一基片（1），在第一基片（1）上设有氧化硅图形层（1a）、第一槽体（1b）、一组压敏电阻（3）和上氧化层（1d）在上氧化层（1d）上设有与压敏电阻（3）对应配合的金属引线（4），在氧化硅图形层（1a）上连接有第二基片（5），在第二基片（5）的底面上设有下氧化层（5c），在第二基片（5）上设有贯穿的开孔（5b）。本实用新型结构简单，制造方便，缩小了芯片背面岛结构的尺寸，进而缩小了芯片尺寸，同时该制备工艺还可以形成常规工艺难以形成的各种形状的梁和岛结构，结构的大小和厚度可以自由设计，实现了设计自由度最大化。
本实用新型一种MEMS压力芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压力芯片结构，其特征在于：它包括第一基片（1），在第一基片（1）上设有氧化硅图形层（1a）和第一槽体（1b），通过氧化硅图形层（1a）和第一槽体（1b）在第一基片（1）底部形成岛形结构（1c），在第一基片（1）上表面上设有上氧化层（114），在上氧化层（114）下方的第一基片（1）上设有一组压敏电阻（3），在上氧化层（114）上设有与压敏电阻（3）对应配合的金属引线（4）；在氧化硅图形层（1a）上连接有第二基片（2），在第二基片（2）的底面上设有下氧化层（2c），在第二基片（2）上设有贯穿的开孔（2b），所述开孔（2b）和第一槽体（1b）相互联通。
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