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龙图腾网获悉无锡英迪芯微电子科技股份有限公司申请的专利一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119511033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656443.6，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质是由余超;张军;李丰军;廖巨华;丁星火;周俊设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片；选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间；在测试模式下，根据测试电压和测试时间对目标芯片进行测试，并将测试结果作为待测试芯片的老化测试结果。通过将待测试芯片内部的标准五线通信转换为目标两线通信得到的目标芯片，并获取目标芯片在高电压应力测试下得到的测试结果作为老化测试结果，可以在仅通过两个测试通道完成所有测试项的同时，降低芯片各项测试的测试时间，进而减低测试成本、提高测试效率。

本发明授权一种芯片老化测试方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片老化测试方法，其特征在于，所述方法，包括： 通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片； 选取用于高电压应力测试的测试模式，并确定对所述目标芯片进行高电压应力测试的测试电压和测试时间； 在所述测试模式下，根据所述测试电压和所述测试时间对所述目标芯片进行测试，并将测试结果作为所述待测试芯片的老化测试结果； 其中，所述目标两线通信包括测试时钟端口TPCLK以及测试数据输入输出端口TPIO； 所述通过通信协议转换控制器将待测试芯片内部用于芯片测试的标准五线通信转换为目标两线通信，得到目标芯片，包括： 通过测试时钟端口TPCLK的内部分频产生测试时钟TCK； 将测试模式选择TMS、测试数据输入TDI以及测试数据输出TDO以数据包的形式分时复用在测试数据输入输出端口TPIO上； 通过测试时钟端口TPCLK和测试数据输入输出端口TPIO实现测试复位TRST； 所述通过测试时钟端口TPCLK和测试数据输入输出端口TPIO实现测试复位TRST，包括： 在准备开始一个新的测试项时，将测试数据输入输出端口TPIO作为时钟、测试时钟端口TPCLK作为数据输入到一组移位寄存器上； 若以测试数据输入输出端口TPIO为时钟，在连续五个时钟周期内，测试时钟端口TPCLK输入的数据都为1，触发测试复位TRST复位所有的测试逻辑。

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