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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510480394.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朱瑶;杨军设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内包括用于形成隔离沟槽的预设区域，且所述衬底靠近所述预设区域一侧的顶部拐角呈直角；向所述预设区域进行非晶化离子注入，以于所述预设区域内靠近衬底表面的一侧形成非晶化离子注入区，所述非晶化离子注入区延伸至所述预设区域两侧的衬底内，并使所述顶部拐角圆滑化；将所述非晶化离子注入区氧化并形成第一氧化层；去除所述第一氧化层中位于所述预设区域上方的部分，并去除所述预设区域内的衬底，以形成所述隔离沟槽，所述顶部拐角位于所述隔离沟槽的顶部开口两侧，且剩余的所述第一氧化层覆盖所述顶部拐角。本申请减少或避免了浅沟槽隔离结构中形成凹陷缺陷的概率。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内包括用于形成隔离沟槽的预设区域，且所述衬底靠近所述预设区域一侧的顶部拐角呈直角； 向所述预设区域进行非晶化离子注入，以于所述预设区域内靠近衬底表面的一侧形成非晶化离子注入区，所述非晶化离子注入区延伸至所述预设区域两侧的衬底内，并使所述顶部拐角圆滑化； 将所述非晶化离子注入区氧化并形成第一氧化层，且所述第一氧化层的厚度与所述非晶化离子注入区的注入深度及注入浓度呈正相关； 于所述第一氧化层上形成硬掩膜层； 去除所述第一氧化层和所述硬掩膜层中位于所述预设区域上方的部分，并去除所述预设区域内的衬底，以形成所述隔离沟槽，所述顶部拐角位于所述隔离沟槽的顶部开口两侧，且剩余的所述第一氧化层覆盖所述顶部拐角，所述第一氧化层中位于所述顶部拐角上方的部分厚于所述第一氧化层中位于所述衬底表面的部分； 其中，所述非晶化离子注入区包括至少部分重合的第一离子注入区和第二离子注入区，且沿垂直射入所述衬底的表面的方向上，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的截面形貌呈尖端朝下的锥型。

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