武创芯研科技(武汉)有限公司张适获国家专利权
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龙图腾网获悉武创芯研科技(武汉)有限公司申请的专利键合优化方法、电子设备、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120068461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510496636.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权键合优化方法、电子设备、存储介质及程序产品是由张适;习杨;李丽丹设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合优化方法、电子设备、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本发明提供了一种键合优化方法、电子设备、存储介质及程序产品。其中，键合优化方法，包括：基于获取的键合设备相关数据构建数字孪生模型；基于数字孪生模型对键合进行仿真得到仿真结果；基于仿真结果对键合中的参数进行调整，从而对键合过程进行优化。通过构建数字孪生模型，根据数字孪生模型的进行仿真，从而对键合后翘曲以及错位的趋势进行有效预测，根据仿真结果对键合的参数进行调整，对键合过程进行优化，对键合过程中翘曲及时修正，达到提高键合质量的目的。
本发明授权键合优化方法、电子设备、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种键合优化方法，其特征在于，包括： 基于获取的键合设备相关数据构建数字孪生模型； 基于数字孪生模型对键合进行仿真得到仿真结果； 基于仿真结果对键合中的参数进行调整，从而对键合过程进行优化； 所述构建数字孪生模型，包括获取键合过程空气薄膜对键合过程的作用力和键合过程的粘附力； 所述键合过程空气薄膜对键合过程的作用力与间隙大小相关，作用力和间隙大小的关系公式为： ， 其中，为空气粘度；为空气薄膜间隙；为空气薄膜对晶圆的阻力，表示特征高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武创芯研科技(武汉)有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道以北、荷英路以西药监路一号商务项目(中国医药技术交易市场)B座13层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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