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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510518471.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法是由周海;陈彤;胡臻;何佳设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一P+掺杂区、P+阱区、截止环接触区、第二P+掺杂区、N‑掺杂区，PN浅结包括第二P+掺杂区以及N‑掺杂区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成电容金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成高电阻率导体层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成源极金属层和截止环金属层，去除阻挡层，将器件主结处的电场横向往截止环金属方向拓展，降低电场强度，提高器件可靠性。

本发明授权一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅VDMOS的PN浅结复合终端的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一P+掺杂区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，分别形成P+阱区和截止环接触区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第二P+掺杂区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成N-掺杂区，PN浅结包括第二P+掺杂区以及N-掺杂区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀第一P+掺杂区形成凹槽，淀积绝缘介质，形成绝缘介质区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘层； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘层形成至少三个沟槽，淀积金属，形成电容金属层；所述电容金属层位于所述N-掺杂区的正上方； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成高电阻率导体层； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层和截止环金属层，去除阻挡层。

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