浙江晶科能源有限公司王倩获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519049.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法是由王倩;孙玉峰;端伟元;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请关于一种背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法，涉及光伏电池片技术领域。本申请的制备方法包括：提供基片，基片包括硅基底，硅基底的背光面设置有隧穿氧化钝化接触结构，其中，隧穿氧化钝化接触结构包括掺杂介质层。可以使掺杂介质层的局部被催化掺杂，和或，也可以使硅基底的受光面被催化掺杂。在催化掺杂之后，形成欧姆接触于掺杂介质层的金属电极。根据本申请制备方法所制备出的背接触光伏电池片可以具备如下优势，背接触光伏电池片所能产生光生电子和光生空穴的数量相对较多，并且背接触光伏电池片所能产生的少子（光生电子或光生空穴）的寿命相对较高，因此所制备出的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。
本发明授权背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供基片，所述基片包括硅基底、N区隧穿氧化层和本征介质层，所述N区隧穿氧化层位于所述硅基底的背光面和所述本征介质层之间； 利用热扩散工艺向所述本征介质层扩散至少一种N型元素，以形成N型掺杂介质层； 利用含磷化氢的气体作为掺杂源，催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部，以在所述N型掺杂介质层内形成N型初始掺杂部和N型催化掺杂部，并且使所述N型初始掺杂部位于所述N区隧穿氧化层和所述N型催化掺杂部之间； 控制在所述催化掺杂过程中的所述基片的温度小于在所述热扩散过程中的所述基片的温度； 形成欧姆接触于所述N型掺杂介质层的负金属电极。
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