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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519757.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法是由陈英杰;彭鑫葆设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法，包括N‑型硅衬底，所述N‑型硅衬底上端设置有P型短基区组，所述P型短基区组外侧设置有P型场环组，所述P型短基区组内侧设置有N+型发射区组；本发明采用横向结构的双向可控硅，无需穿通环结构，可以大幅提高生产效率，且第一P型场环和第二P型场环深度只需35~40μm即可实现1000V的阻断电压，并且漏电更低，第一N+型发射区、第二N+型发射区和第三N+型发射区使电流密度分布更加均匀，可以承受更高的didt，温升更低，并且第一P型短基区和第二P型短基区区间距远，第一P型短基区和第二P型短基区区间大于250μm，寄生电容小，dvdt高。

本发明授权一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种横向结构的双向可控硅芯片，包括N-型硅衬底（110），其特征在于：所述N-型硅衬底（110）上端设置有P型短基区组，所述P型短基区组外侧设置有P型场环组，所述P型短基区组内侧设置有N+型发射区组； 所述P型短基区组包括第一P型短基区（121）和第二P型短基区（122），所述第一P型短基区（121）和所述第二P型短基区（122）分别设置于所述N-型硅衬底（110）上端的两侧； 所述P型场环组包括第一P型场环（131）和第二P型场环（132），所述第一P型场环（131）设置于所述第一P型短基区（121）外侧，所述第二P型场环（132）设置于所述第二P型短基区（122）外侧； 所述N+型发射区组包括第一N+型发射区（141）、第二N+型发射区（142）和第三N+型发射区（143），所述第一N+型发射区（141）设置于所述第一P型短基区（121）上端内侧，所述第二N+型发射区（142）设置于所述第二P型短基区（122）上端并且靠近所述第一P型短基区（121）的一侧，所述第三N+型发射区（143）设置于所述第二P型短基区（122）上端并且远离所述第一P型短基区（121）的一侧； 所述第一N+型发射区（141）上端面设置T1电极（151），所述第二N+型发射区（142）设置T2电极（152），所述第三N+型发射区（143）上端面设置门极电极（153）。

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