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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;瑞安市人民医院(瑞安市人民医院医疗服务集团瑞安市红十字医院);绍兴君尚英高新材料科技有限公司申请的专利一种ITO-金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510630095.3，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种ITO-金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构及其制备方法和应用是由高稔现;陈志浩;孔哲;汤呈宣;赵晓宇;张永军;张鉴;钟熙强;何少奇;崔茹飞;温嘉红;朱大鹏;谢敏;张坤;王雅新设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ITO-金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光学器件领域，提出了一种ITO‑金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构及其制备方法和应用。该方法通过自组装技术在硅片上形成规则排列的聚苯乙烯（PS）微球阵列，并利用反应离子刻蚀（RIE）技术对PS微球和硅衬底进行刻蚀，形成硅台和碗状结构。在微球的阻挡作用下，采用磁控溅射技术依次沉积氧化铟锡（ITO）和金（Au）薄膜，形成具有月牙形结构的金属‑半导体复合层。该复合结构的交界处形成肖特基异质结，能够在等离激元激发下引发热电子转移，进而调节光的瞬态信号响应。

本发明授权一种ITO-金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种ITO-金双层月牙形对半异质圆环3D纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1在硅片上自组装单层密排六方聚合物微球；通过RIE方法用氧气刻蚀聚合物微球，以减小聚合物微球的体积； S2通过RIE方法用六氟化硫刻蚀硅片，利用聚合物微球遮挡作用在硅片上刻蚀形成硅台；所述硅台位于聚合物微球正下方； S3再次通过RIE方法用氧气刻蚀聚合物微球，以减小聚合物微球的体积，进一步扩大微球之间的间距； S4将经过步骤S1~S3处理后的硅片倾斜一定角度置于磁控溅射样品台上，溅射一层氧化铟锡ITO，利用聚合物微球的阻挡作用使ITO沉积在聚合物微球一侧的硅片上，形成半月牙形； S5沉积完ITO之后，将硅片保持倾斜角度并旋转180°，再次溅射一层金，利用聚合物微球的阻挡作用，使金沉积在聚合物微球另一侧的硅片上，也形成半月牙形，从而在聚合物微球两侧各形成半月牙形的ITO和金，并且ITO在下层，金在上层； S6机械剥离聚合物微球，在半月牙形的ITO和金中间形成圆孔，露出硅片；通过RIE方法用六氟化硫二次刻蚀露出的硅片，使圆孔处的硅会形成碗状结构。

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