LG电子株式会社李大龙获国家专利权
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龙图腾网获悉LG电子株式会社申请的专利太阳能电池的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113748523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080031310.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的制造方法是由李大龙;金珍圣设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池的制造方法在说明书摘要公布了：根据本发明的实施方式的制造方法可以包括以下步骤：设置太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体基板和半导体层，所述半导体层的吸收系数高于所述半导体基板的吸收系数并且形成在所述半导体基板的至少一侧上，使得所述半导体层朝向激光取向；向所述半导体层发射激光束以在所述太阳能电池上形成凹槽；以及沿所述凹槽将所述太阳能电池分成多个片。
本发明授权太阳能电池的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤： 在太阳能电池中将半导体基板和吸收系数比所述半导体基板高的半导体层设置成使得形成在所述半导体基板的至少一侧上的所述半导体层面向激光； 通过将所述激光导向所述半导体层而在所述太阳能电池中形成凹槽；以及 沿着所述凹槽将所述太阳能电池分成多个部分； 所述凹槽穿过所述半导体层甚至直至所述半导体基板的一部分而形成，所述凹槽的深度是所述半导体基板的厚度的30％到70％； 所述半导体层是多晶硅，并且所述半导体基板是单晶硅； 当所述激光具有1024nm的波长时，所述半导体层是600nm厚或更厚； 或者，当所述激光具有532nm的波长时，所述半导体层是180nm厚或更厚； 所述半导体层形成在所述半导体基板的背表面上，所述半导体层包括第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包含与所述半导体基板的极性相反的第一导电掺杂剂，所述第二导电区包含与所述半导体基板的极性相同的第二导电掺杂剂； 所述凹槽形成在所述第二导电区中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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