索尼半导体解决方案公司宫崎俊彦获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080036268.4，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由宫崎俊彦;川原雄基;铃木毅;饭岛匡设计研发完成，并于2020-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有由多个基板构成的多层结构的半导体装置，其中：能够抑制上侧基板和下侧基板上形成的元件之间的噪声或热的传播；并且也能够抑制所述元件的特性劣化。该半导体装置设置有：第一基板，其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层和布置在所述第一配线层上且包含导电材料的屏蔽层；以及第二基板，其包括布置在所述屏蔽层上且包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层。所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一基板，其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层、布置在所述第一配线层上的包含导电材料的屏蔽层和布置在所述第一元件层下方的光电转换部；以及 第二基板，其包括布置在所述屏蔽层上的包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层，其中 所述第一基板和所述第二基板以所述第二元件层比所述第二配线层更靠近所述第一基板的方式彼此层叠， 在所述屏蔽层中设置有开口，并且 所述半导体装置进一步地包括连接配线，所述连接配线贯穿所述开口并且将所述光电转换部或所述第一配线层与所述第二配线层连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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