三星电子株式会社安商燻获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利集成电路装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112713134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010618713.X,技术领域涉及:H01L23/528;该发明授权集成电路装置是由安商燻;李禹镇;韩奎熙设计研发完成,并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路装置在说明书摘要公布了:公开了一种集成电路装置。根据发明构思的集成电路装置包括:下布线结构,位于基底上;气隙,布置在下布线结构之间;盖层,覆盖气隙的上表面;蚀刻停止层,共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构;绝缘层,覆盖蚀刻停止层;以及上布线结构,穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面,其中,上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分,并且盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高。
本发明授权集成电路装置在权利要求书中公布了:1.一种集成电路装置,所述集成电路装置包括: 下布线结构,位于基底上,下布线结构包括位于下布线结构中的相邻下布线结构之间的气隙; 盖层,覆盖气隙的上表面,盖层的宽度和气隙的宽度相同; 蚀刻停止层,共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构; 绝缘层,覆盖蚀刻停止层;以及 上布线结构,穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面, 其中,上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分, 盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高,并且 盖层的竖直厚度被构造为确保上布线结构与下布线结构中的与上布线结构水平地相邻的下布线结构之间分开预定的距离。
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