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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利异质结太阳能电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010847959.4，技术领域涉及：H10F10/164；该发明授权异质结太阳能电池及其制作方法是由张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳能电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底侧面上具有非晶层，基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而单晶硅衬底由于侧面依次覆盖有第一本征侧边部与第二本征侧边部，还能有效提高单晶硅衬底侧面的钝化效果。

本发明授权异质结太阳能电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括依次设置于所述第一主面一侧的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层、第一透明导电膜层、第一集电极以及依次设置于所述第二主面一侧的第二本征非晶层、第二掺杂非晶层、第二透明导电膜层、第二集电极，所述第一本征非晶层具有朝所述第二本征非晶层方向延伸以覆盖全部所述侧面的第一本征侧边部，第二本征非晶层具有朝所述第一本征非晶层方向延伸以覆盖所述第一本征侧边部的第二本征侧边部，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层掺杂类型相反且均具有延伸至所述侧面外且相互形成连接的掺杂侧边部；所述第一透明导电膜层与所述第二透明导电膜层中位于所述受光面的一个透明导电膜层仅包括附于掺杂非晶层表面的第一TCO膜以及附于所述第一TCO膜表面的第二TCO膜，所述第一TCO膜中掺杂氧化物的质量占比大于所述第二TCO膜中掺杂氧化物的质量占比；第一TCO膜的厚度小于第二TCO膜的厚度；第一本征非晶层与第二本征非晶层中键合氢原子占总氢原子占比均为15％-25％；所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层分别包括至少两层层叠设置的本征膜，每一所述本征膜由本征非晶硅、本征非晶氧化硅、本征非晶碳化硅中的一种构成；所述第一本征非晶层和或所述第二本征非晶层中离所述单晶硅衬底最远的一层本征膜为本征非晶氧化硅。

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