深圳市中光工业技术研究院郑兆祯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中光工业技术研究院申请的专利一种检测芯片及检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010900245.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种检测芯片及检测系统是由郑兆祯;丁新琪;廖桂波;吴阳烽;焦旺;王菊;涂庆明设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检测芯片及检测系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种检测芯片，其特征在于，所述检测芯片嵌入半导体晶圆本体，用于进行光致发光测试，所述检测芯片包括：多个周期排布或随机排布的量子阱混杂区域和非量子阱混杂区域，其中所述量子阱混杂区域的粒子掺杂与所述半导体晶圆本体中包含的量子阱掺杂层的粒子掺杂相同。通过多个量子阱混杂区域接收激光光束以发生光致发光反应，多个所述量子阱混杂区域光致发光出射的光线之间发生干涉，使得所述检测芯片出射的波长谱线信号强度增强，利用常规的光谱仪即可测量出检测芯片的波长蓝移情况，快速实现半导体晶圆的抗COD特性判断。
本发明授权一种检测芯片及检测系统在权利要求书中公布了：1.一种检测芯片，其特征在于，所述检测芯片嵌入半导体晶圆本体，用于进行光致发光测试，所述检测芯片包括： 多个周期排布的量子阱混杂区域和非量子阱混杂区域，其中所述量子阱混杂区域的粒子掺杂与所述半导体晶圆本体中包含的量子阱掺杂层的粒子掺杂相同；多个量子阱混杂区域接收激光光束以发生光致发光反应，多个所述量子阱混杂区域光致发光出射的光线之间发生干涉，使得所述检测芯片出射的波长谱线信号强度增强。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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