力晶积成电子制造股份有限公司马晨亮获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利复合型存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965977.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权复合型存储器结构是由马晨亮;王子嵩设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合型存储器结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种复合型存储器结构，包括基底、闪存存储器、第一电阻式随机存取存储器与第二电阻式随机存取存储器。闪存存储器位于基底上。闪存存储器包括栅极、第一掺杂区与第二掺杂区。栅极位于基底上。第一掺杂区位于栅极的一侧的基底中。第二掺杂区位于栅极的另一侧的基底中。第一电阻式随机存取存储器电连接至栅极、第一掺杂区与第二掺杂区中的一者。第二电阻式随机存取存储器电连接至栅极、第一掺杂区与第二掺杂区中的另一者。
本发明授权复合型存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种复合型存储器结构，其特征在于，包括： 基底； 闪存存储器，位于所述基底上，且包括： 栅极，位于所述基底上； 第一掺杂区，位于所述栅极的一侧的所述基底中；以及 第二掺杂区，位于所述栅极的另一侧的所述基底中； 第一电阻式随机存取存储器，电连接至所述栅极；以及 第二电阻式随机存取存储器，电连接至所述第一掺杂区与所述第二掺杂区中的一者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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