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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利参数设置方法、装置、系统以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114281609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011034937.2，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权参数设置方法、装置、系统以及存储介质是由何浩设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本参数设置方法、装置、系统以及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种参数设置方法、装置、系统以及存储介质，获取多个存储器参数的第一设置数值和多个存储器参数在非易失性存储器中的存储位置，根据每个存储器参数的第一设置数值和存储位置，生成第一参数设置指令，发送第一参数设置指令至测试设备，以使测试设备设置非易失性存储器中位于存储位置的所存储的存储器参数为第一设置数值。本方案通过获取存储器参数的存储位置，可以实现通过上位机设置测试设备的非易失性存储器中所存储的存储器参数，无需通过BIOS程序界面设置，可以一次设置多个存储器参数，提高参数设置效率。

本发明授权参数设置方法、装置、系统以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种参数设置方法，其特征在于，所述方法应用于上位机，所述上位机与测试设备连接，所述测试设备包括非易失性存储器，所述方法包括： 获取多个存储器参数的第一设置数值和所述多个存储器参数在所述非易失性存储器中的存储位置； 根据每个存储器参数的所述第一设置数值和所述存储位置，生成第一参数设置指令； 发送所述第一参数设置指令至所述测试设备，以使所述测试设备设置所述非易失性存储器中位于所述存储位置的所存储的存储器参数为所述第一设置数值； 其中，获取多个存储器参数在所述非易失性存储器中的存储位置，包括： 针对每个所述存储器参数，获取第一数据和第二数据，所述第一数据为在设置所述存储器参数前的所述非易失性存储器中存储的数据，所述第二数据为在设置所述存储器参数后的所述非易失性存储器中存储的数据； 根据所述第一数据和所述第二数据，获得所述存储器参数在所述非易失性存储器中的存储位置； 其中，获取第二数据，包括： 控制所述测试设备获取通过显示界面输入的存储器参数的第二设置数值； 根据所述第二设置数值和预设指令模板，生成第二参数设置指令，所述第二参数设置指令用于设置所述非易失性存储器中存储的存储器参数； 获取所述测试设备执行所述第二参数设置指令后所述非易失性存储器中存储的第二数据。

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