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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011056431.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法是由王春明;X·刘;宋国祥;邢精成;N·多设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括半导体衬底；该衬底中的第一区和第二区，该第一区和该第二区的导电类型与该衬底的导电类型不同，其中该衬底中的沟道区在该第一区和该第二区之间延伸。该沟道区在该第一区和该第二区之间是连续的。第一浮栅设置在该沟道区的第一部分上方并且与该第一部分绝缘。第二浮栅设置在该沟道区的第二部分上方并且与该第二部分绝缘。第一耦合栅设置在该第一浮栅上方并且与该第一浮栅绝缘。第二耦合栅设置在该第二浮栅上方并且与该第二浮栅绝缘。字线栅设置在所述沟道区的介于所述第一沟道区部分和所述第二沟道区部分之间的第三部分上面并且与所述第三部分绝缘。擦除栅设置在该字线栅上方并且与该字线栅绝缘。

本发明授权具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种形成存储器单元的方法，包括： 在具有第一导电类型的半导体衬底上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一导电层； 在所述第一导电层上形成第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上形成第二导电层； 在所述第二导电层上形成第三绝缘层； 形成延伸穿过所述第三绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的沟槽； 沿着所述沟槽的侧壁形成绝缘间隔物； 使所述沟槽延伸穿过所述绝缘间隔物之间的所述第一导电层；在所述沟槽中形成字线栅，其中所述字线栅竖直地设置在所述衬底上方并与所述衬底绝缘； 在所述沟槽中形成擦除栅，其中所述擦除栅竖直地设置在所述字线栅上方并与所述字线栅绝缘； 移除所述第二导电层的部分，同时保留所述第二导电层的第一部分和第二部分作为相应第一耦合栅和第二耦合栅，并且移除所述第一导电层的部分，同时保留所述第一导电层的第一部分和第二部分作为相应第一浮栅和第二浮栅；以及 在所述衬底中形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一区和第二区，其中所述第一区与所述第一浮栅相邻并且所述第二区与所述第二浮栅相邻，并且其中所述衬底中的连续沟道区在所述第一区和所述第二区之间延伸， 其中： 所述第一浮栅设置在所述衬底上方并与所述衬底绝缘并且与所述字线栅横向地相邻并绝缘， 所述第二浮栅设置在所述衬底上方并与所述衬底绝缘并且与所述字线栅横向地相邻并绝缘， 所述第一耦合栅设置在所述第一浮栅上方并且与所述第一浮栅绝缘，并且 所述第二耦合栅设置在所述第二浮栅上方并且与所述第二浮栅绝缘。

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