中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011056435.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件的形成方法是由张田田;肖张茹;张浩;荆学珍;郭雯;于海龙设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有通孔，所述通孔的底部暴露出所述基底内的导电层的顶部表面；采用溅射刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述导电层的顶部表面，在所述导电层内形成凹形槽；在所述凹形槽的侧壁和底部以及所述通孔的侧壁上形成牺牲层；形成所述牺牲层后，去除所述牺牲层；一方面利用溅射刻蚀工艺刻蚀凹形槽，保证凹形槽的刻蚀形状；另外一方面，形成牺牲层，牺牲层作为缓冲层，在去除牺牲层的过程中，会带走部分导电层的同时会氧化牺牲层底部的部分导电层，这种缺失和氧化可以很好的控制，保证通孔底部一致的接触电阻，便于使得最终形成的半导体器件的性能得到提高。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有通孔，所述通孔的底部暴露出所述基底内的导电层的顶部表面； 采用溅射刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述导电层的顶部表面，在所述导电层内形成凹形槽； 在所述凹形槽的侧壁和底部以及所述通孔的侧壁上形成牺牲层； 形成所述牺牲层后，去除所述牺牲层，带走部分底部所述导电层使得所述凹形槽往横向扩大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号