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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011094544.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成分立的核心层，在第二方向相邻核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；在核心层侧壁形成牺牲侧墙；在相邻牺牲侧墙之间的部分基底上形成牺牲层；在基底上形成填充层；去除牺牲层形成开口；去除牺牲侧墙形成沟槽；在沟槽侧壁形成掩膜侧墙，还填充于核心层侧壁与填充层之间，沟槽侧壁的掩膜侧墙围成第一凹槽；形成第二凹槽，贯穿位于沟槽侧壁和第二侧壁的掩膜侧墙之间的填充层；去除核心层形成第三凹槽；第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽的至少一个中形成有分割层，沿第一方向分割对应的凹槽；刻蚀第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽下方目标层形成目标图形。本发明实施例提高目标图形的图形精度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层； 在所述基底上形成沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的核心层，所述第二方向垂直于第一方向，在所述第二方向相邻所述核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁； 在所述核心层的侧壁上形成牺牲侧墙； 在相邻所述牺牲侧墙之间的部分基底上形成沿第一方向延伸的牺牲层，所述牺牲层覆盖位于所述第一侧壁上的牺牲侧墙侧壁，且与位于所述第二侧壁上的牺牲侧墙相间隔； 在所述核心层、牺牲侧墙和牺牲层露出的基底上形成填充层； 去除所述牺牲层，在所述填充层中形成开口； 去除所述牺牲侧墙；所述开口与所述第一侧壁围成沟槽； 在所述沟槽的侧壁上形成掩膜侧墙，所述掩膜侧墙还填充于所述核心层侧壁与填充层之间，位于所述沟槽侧壁的掩膜侧墙围成第一凹槽； 形成第二凹槽，贯穿位于所述沟槽侧壁和位于所述第二侧壁上的掩膜侧墙之间的填充层；去除所述核心层，形成第三凹槽； 其中，所述第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽中的至少一个凹槽中形成有分割层，所述分割层沿第一方向分割对应的凹槽； 以所述分割层、掩膜侧墙和填充层为掩膜，图形化所述第三凹槽、第二凹槽与第一凹槽下方的目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。