长江存储科技有限责任公司王欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111195073.7，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由王欣;甘程;田武设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：半导体衬底、形成在半导体衬底中的有源区和隔离结构、栅极结构以及虚拟结构，虚拟结构至少位于相邻有源区之间的隔离结构上，并与栅极结构之间具有间距。本发明通过在相邻有源区之间的隔离结构上制备虚拟结构，该虚拟结构在隔离结构上的投影位于源极掺杂区之间或漏极掺杂区之间，并可以进一步延伸至相邻的源极掺杂区或漏极掺杂区上方形成交叠区域，可以阻挡部分离子注入，有效提高位线存储器的击穿电压，降低击穿风险，虚拟结构可以与栅极结构同时制备，不需要改变任何工艺条件和步骤，工艺简单可行，本发明的虚拟结构可以不额外增加器件面积。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括： 半导体衬底； 位于所述半导体衬底内的多个有源区及隔离结构，所述有源区及所述隔离结构沿第一方向交替间隔排布，沿第一方向相邻的两个有源区之间均形成有所述隔离结构，所述有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直； 至少位于所述有源区上的栅极结构；以及 至少位于所述隔离结构上的虚拟结构，且在所述第二方向上所述栅极结构与所述虚拟结构之间具有间距； 所述有源区还形成有位于所述栅极结构两侧的源极掺杂区及漏极掺杂区，所述虚拟结构位于所述源极掺杂区之间、和或所述虚拟结构位于所述漏极掺杂区之间；所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区作为器件的源极和漏极，沿第二方向排布。
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