联华电子股份有限公司陈自平获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221820.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储器元件是由陈自平设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储器元件，包含选择晶体管和浮动栅极晶体管，设置在基底上。选择晶体管包含选择栅极、选择栅极氧化层和漏极掺杂区。浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂、第二隧穿区掺杂、在第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层。浮动栅极氧化层介于第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层之间。淡掺杂扩散区围绕源极掺杂区和第二隧穿区掺杂。
本发明授权半导体存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器元件，其特征在于，包含： 基底，具有第一导电型，其中，所述基底包含被沟槽隔离区域围绕的第一主动区域； 选择晶体管，设置在所述第一主动区域上，其中所述选择晶体管包含选择栅极、在所述选择栅极下方的选择栅极氧化层，以及具有第二导电型且与所述选择栅极相邻的漏极掺杂区； 浮动栅极晶体管，设置在所述第一主动区域上并靠近所述选择晶体管，其中，所述浮动栅极晶体管包含浮动栅极、在所述浮动栅极下方的浮动栅极氧化层、具有所述第二导电型且与所述浮动栅极相邻的源极掺杂区、在所述浮动栅极下方且在所述浮动栅极氧化层与所述源极掺杂区之间的第一隧穿区掺杂、在所述第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在所述浮动栅极下方且在所述浮动栅极介电层和所述选择栅极之间的第二隧穿区掺杂，以及在所述第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层；以及 淡掺杂扩散区，具有所述第二导电型，围绕所述源极掺杂区和所述第一隧穿区掺杂，其中所述第一隧穿区掺杂邻接所述源极掺杂区。
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