苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利二极管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116349019B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080106650.8,技术领域涉及:H10H20/815;该发明授权二极管及其制造方法是由程凯设计研发完成,并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管及其制造方法在说明书摘要公布了:一种二极管及其制造方法。所述二极管包括:第一衬底100,所述第一衬底100为n型掺杂衬底且其掺杂浓度等于或大于1×1018cm‑3;位于所述第一衬底100的第一表面上的金属原子层110,位于所述金属原子层110上的外延结构120;位于所述外延结构120上的第一电极140;以及位于所述第一衬底100与所述第一表面相反的第二表面上的第二电极150,该二极管能够显著降低的正向导通压降。
本发明授权二极管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种二极管,其特征在于,所述二极管包括: 第一衬底,所述第一衬底为n型掺杂衬底且其掺杂浓度等于或大于1×1018cm-3; 金属原子层,所述金属原子层位于所述第一衬底的第一表面上; 外延结构,所述外延结构位于所述金属原子层上; 第一电极,所述第一电极位于所述外延结构上; 第二电极,所述第二电极位于所述第一衬底与所述第一表面相反的第二表面上。
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