昭和电工株式会社远藤大三获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利磁传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080041266.4，技术领域涉及：G01R33/06；该发明授权磁传感器是由远藤大三;筱龙德;坂胁彰;利根川翔;渡边恭成设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器在说明书摘要公布了：磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。
本发明授权磁传感器在权利要求书中公布了：1.磁传感器，其具备： 非磁性的基板；和 感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场， 所述感应元件具有由非晶合金形成的3层以上的软磁体层、和由非磁体构成且层叠于该软磁体层之间的2层以上的非磁体层，夹着各个该非磁体层而相对的该软磁体层是经反铁磁性耦合的， 在从所述软磁体层的层叠方向观察该软磁体层的情况下，所述感应元件不形成闭合磁畴， 在该软磁体层的面方向流通电流而测定阻抗。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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