中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈建获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011311641.0，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建;涂武涛;王彦设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底上具有介质层，衬底包括第一区；第一开口，位于第一区的介质层内；第一功函数层，位于第一开口的底部和侧壁上，第一功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面；第二功函数层和第三功函数层，位于第一开口中的第一功函数层表面以及第一开口侧壁上，第二功函数层和第三功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面且高于第一功函数层的顶部表面；第四功函数层，位于第一开口中的第三功函数层表面以及第一开口侧壁上；栅极层，位于所述第一开口内。本发明实施例提供的半导体结构的性能得到了提升。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有介质层，所述衬底包括第一区； 第一开口，位于所述第一区的所述介质层内； 第一功函数层，位于所述第一开口的底部和侧壁上，且所述第一功函数层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面； 第二功函数层，位于所述第一开口中的所述第一功函数层表面以及所述第一开口侧壁上，所述第二功函数层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面且高于所述第一功函数层的顶部表面； 第三功函数层，位于所述第一开口中的所述第二功函数层表面，所述第三功函数层的顶部表面与所述第二功函数层的顶部表面齐平； 第四功函数层，位于所述第一开口中的所述第三功函数层表面以及所述第一开口侧壁上，所述第四功函数层的顶部表面与所述介质层的顶部表面齐平； 栅极层，位于所述第一开口内。
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