苏州晶湛半导体有限公司刘慰华获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利量子阱结构及其制备方法和发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116472616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106826.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权量子阱结构及其制备方法和发光二极管是由刘慰华;程凯设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子阱结构及其制备方法和发光二极管在说明书摘要公布了：一种量子阱结构及其制备方法和发光二极管，该量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个第一膜层。该至少一个量子阱中的每个量子阱包括彼此叠置的势阱层和势垒层，势阱层包括第一掺杂元素。该至少一个第一膜层中的每个第一膜层包括第二掺杂元素。第二掺元素用于调节与第一膜层相邻的势阱层的第一掺杂元素的掺杂量。第一掺杂元素包括In和Al中的至少一种，第二掺杂元素包括Al、Mg和Si中的至少一种。第一膜层可以通过第二掺杂元素的催化作用来调节例如提高或者抑制形成势阱层时向其中掺杂的第一掺杂元素的含量，从而根据需要对量子阱的发光效率、发出光的波长进行调节。
本发明授权量子阱结构及其制备方法和发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种量子阱结构，其特征在于，包括： 至少一个量子阱，所述至少一个量子阱中的每个量子阱包括彼此叠置的势阱层和势垒层，所述势阱层包括第一掺杂元素； 至少一个第一膜层，所述至少一个第一膜层中的每个第一膜层包括第二掺杂元素，所述第二掺杂元素用于调节与所述第一膜层相邻的势阱层中的第一掺杂元素的掺杂量； 其中，所述第二掺杂元素包括Al和Mg中的至少一种，所述第二掺杂元素用于调节与所述第一膜层相邻的所述势阱层中的所述第一掺杂元素的掺杂量增大；或 所述第二掺杂元素为Si，所述第二掺杂元素调节与所述第一膜层相邻的所述势阱层中的所述第一掺杂元素的掺杂量减少。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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