华为技术有限公司曹均凯获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115943335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102963.6，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置是由曹均凯;曹高奇设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置在说明书摘要公布了：一种光电探测器10、其制备方法、芯片100及光学装置，其中光电探测器10包括：衬底11、依次层叠设置于衬底11上的第一电极接触层12、光敏感层13、第二电极接触层14、钝化层15以及第一电极161和第二电极162；光电探测器10还包括至少贯穿光敏感层13和第二电极接触层14的通孔V0；第一电极接触层12和第二电极接触层14为极性相反的掺杂半导体层；第一电极161和第二电极162相互绝缘，第一电极161通过第一凹槽V1与第一电极接触层12电连接，第二电极162通过第二凹槽V2与第二电极接触层14电连接。在光电探测器10中，当被检测光穿过通孔V0时，光敏感层13可以俘获穿过通孔V0的部分光子，从而将光信号转换为电信号，实现对被检测光的检测，并且保证被检测光不受干扰。
本发明授权光电探测器、其制备方法、芯片及光学装置在权利要求书中公布了：1.一种光学装置，其特征在于，包括波长选择开关结构和至少一个光电探测器，所述光电探测器设置在所述波长选择开关结构的自由空间中单色光的传输路径上； 所述光电探测器包括：衬底、依次层叠设置于所述衬底上的第一电极接触层、光敏感层、第二电极接触层、钝化层以及第一电极和第二电极； 所述光电探测器还包括至少贯穿所述光敏感层和所述第二电极接触层的通孔；所述单色光穿过所述通孔； 所述第一电极接触层和所述第二电极接触层为极性相反的掺杂半导体层； 所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的正投影分别位于所述通孔在所述衬底的正投影的外侧； 所述第一电极和所述第二电极相互绝缘，所述第一电极通过贯穿位于所述第一电极与所述第一电极接触层之间的膜层的第一凹槽与所述第一电极接触层电连接，所述第二电极通过贯穿所述钝化层的第二凹槽与所述第二电极接触层电连接。
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